| 发明名称 | 用于释放微机电系统装置中的隔膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于释放微机电系统(MEMS)装置的隔膜的方法。所述方法包含在预润湿溶液中将所述MEMS装置预润湿，从而至少将所述MEMS装置的空腔的侧壁表面预润湿。接着，在将MEMS装置湿蚀刻的步骤之后，执行润湿工艺，从而蚀刻电介质层的电介质材料以用于固持所述隔膜，其中从所述电介质层释放所述隔膜的感测部分。 | ||
| 申请公布号 | CN104671195A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201410168061.9 | 申请日期 | 2014.04.24 |
| 申请人 | 鑫创科技股份有限公司 | 发明人 | 谢聪敏;李建兴;刘志成 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种用于释放处于半成品阶段的微机电系统装置的隔膜的方法，包括：在预润湿溶液中将所述微机电系统装置预润湿，从而至少将所述微机电系统装置的空腔的侧壁表面预润湿；以及在将所述微机电系统装置预润湿的所述步骤之后，执行蚀刻工艺，从而蚀刻电介质层的电介质材料以用于固持所述隔膜，其中从所述电介质层释放所述隔膜的感测部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||