| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于衬底表面的伪栅介质层、以及位于伪栅介质层表面的伪栅极层，位于衬底表面和伪栅极结构侧壁表面的介质层，所述介质层的表面与伪栅极结构的表面齐平；在所述介质层和伪栅极结构表面形成阻挡膜，位于介质层表面的阻挡膜厚度大于位于伪栅极层表面的阻挡膜厚度；刻蚀所述阻挡膜直至暴露出伪栅极层表面为止，在介质层表面形成阻挡层；在形成所述阻挡层之后，去除所述伪栅极层和伪栅介质层，在介质层内形成开口；在所述开口的侧壁和底部表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成填充满开口的栅极层。所形成的晶体管性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN104681424A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201310617916.7 | 申请日期 | 2013.11.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 卜伟海;康劲;陈勇;王新鹏 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于衬底表面的伪栅介质层、以及位于伪栅介质层表面的伪栅极层，位于衬底表面和伪栅极结构侧壁表面的介质层，所述介质层的表面与伪栅极结构的表面齐平；在所述介质层和伪栅极结构表面形成阻挡膜，位于介质层表面的阻挡膜厚度大于位于伪栅极层表面的阻挡膜厚度；刻蚀所述阻挡膜直至暴露出伪栅极层表面为止，在介质层表面形成阻挡层；在形成所述阻挡层之后，去除所述伪栅极层和伪栅介质层，在介质层内形成开口；在所述开口的侧壁和底部表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成填充满开口的栅极层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||