发明名称 | 发光二极体的制备方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI487143 | 申请公布日期 | 2015.06.01 |
申请号 | TW101113355 | 申请日期 | 2012.04.13 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 魏洋;范守善 |
分类号 | H01L33/36 | 主分类号 | H01L33/36 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种发光二极体的制备方法,其包括以下步骤:提供一具有第一外延生长面的用于支援外延层外延生长的基底;在所述基底的第一外延生长面设置一包括复数奈米碳管且该复数奈米碳管连接为一体的奈米碳管层;在基底的第一外延生长面外延生长一第一半导体层;去除所述基底及所述奈米碳管层,形成一具有一图案化的表面的第一半导体层;将所述第一半导体层的图案化的表面作为第二外延生长面,依次生长一活性层及一第二半导体层,所述活性层与所述第一半导体层接触的表面与所述第一半导体层具有奈米微结构的表面相啮合;形成一第一电极与第一半导体层电连接,同时形成一第二电极与第二半导体层电连接。 | ||
地址 | 新北市土城区自由街2号 |