| 主权项 |
一种半导体器件，其包含：漂移层，其具有第一表面，该第一表面具有作用区及复数个接面遮障元件凹陷，该漂移层掺杂有第一导电类型之掺杂材料及伴随有边缘终端区，该边缘终端区与该作用区实质上侧向相邻且包含边缘终端结构，其中该边缘终端区具有自该第一表面延伸至该漂移层中之边缘终端凹陷，且该边缘终端结构包含在该边缘终端凹陷中形成的复数个保护环；肖特基层(Schottky layer)，其在该第一表面之该作用区上以形成肖特基接面(Schottky junction)；及复数个第一掺杂区，其延伸至该漂移层中围绕该复数个接面遮障元件凹陷之相应者，其中该复数个第一掺杂区掺杂有与该第一导电类型相反之第二导电类型之掺杂材料且在该漂移层中在该肖特基接面下形成接面遮障元件阵列。
|
