Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung

摘要

Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Schottky-Diode, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: (a) Ausführen einer Ionenimplantation an einer Siliziumkarbidschicht (2), die eine (0001)-Siliziumoberfläche oder eine (000-1)-Kohlenstoff-Oberfläche aufweist; (b) Ausführen einer Aktivierungswärmebehandlung an der ionenimplantierten Siliziumkarbidschicht (2); (c) Entfernen einer Oberflächenschicht (5a) der Siliziumkarbidschicht (4), an der die Aktivierungswärmebehandlung ausgeführt worden ist, durch Trockenätzen; (d) Bilden einer Opferoxidschicht (6) auf einer Oberflächenschicht der Siliziumkarbidschicht (2), an der das Trockenätzen ausgeführt worden ist, durch Ausführen einer Opferoxidation an dieser; und (e) Entfernen der Opferoxidschicht (6) durch Naßätzen. wobei die Dicke der Siliziumkarbidschicht, die durch Bilden und Entfernen der Opferoxidschicht (6) entfernt wird, 20 nm bis 40 nm beträgt.