发明名称 PATTERN FORMING METHOD USING RESIST COMPOSITION FOR MULTIPLE DEVELOPMENT
摘要 (A) 활성광선 또는 방사선 조사에 의해 포지티브 현상액에서 용해도가 증가하고 네가티브 현상액에서 용해도가 감소하는 포지티브 레지스트 조성물을 기판에 도포하는 단계, (B) 상기 레지스트막을 노광하는 단계, 및 (D) 네가티브 현상액으로 상기 레지스트막을 현상하는 단계를 포함하는 패턴형성방법; 상기 방법에서 사용된 다중현상용 포지티브 레지스트 조성물; 상기 방법에서 사용하는 현상액; 및 상기 방법에서 사용하는 네가티브 현상용 세정액.
申请公布号 KR101523539(B1) 申请公布日期 2015.05.28
申请号 KR20140023962 申请日期 2014.02.28
申请人 후지필름 가부시키가이샤 发明人 츠바키 히데아키;칸나 신이치
分类号 G03F7/039;G03F7/26;G03F7/30;H01L21/027 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人
主权项
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