发明名称 Vorrichtung zur Differenzverstärkung mit einer Erweiterung des Gleichtakteingangsspannungsbereiches
摘要 <p>Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Erweiterung des Gleichtakteingangsspannungsbereiches eines Differenzverstärkers. Dabei umfasst der Differenzverstärker eine Hauptdifferenzstufe aus zwei ersten Transistoren (M1, M2) eines ersten Leitungstyps und eines ersten Konstruktionstyps, die eine erste Schwellspannung aufweisen. Er umfasst weiter eine Nebendifferenzstufe mit zwei zweiten Transistoren (M3, M4) des ersten Leitungstyps und eines zweiten Konstruktionstyps, die eine zweite Schwellspannung aufweisen. Diese zweite Schwellspannung ist gegenüber der ersten Schwellspannung der ersten Transistoren (M1, M2) vermindert. Dabei wird der Summenstrom durch die Zweige der Hauptdifferenzstufe (M1, M2, M10) durch mindestens eine erste Teilvorrichtung (M6, M7, M9) äquivalent zu diesem Summenstrom modelliert. In Abhängigkeit von dem Mess- oder Modellierungsergebnis erden durch eine zweite Teilvorrichtung (M11, M12, M9) die Ströme durch die Hauptdifferenzstufe und Nebendifferenzstufe zwischen diesen Differenzstufen verlagert. Diese zweite Teilvorrichtung besteht typischerweise aus zwei Sense-Transistoren (M7, M7), die den Summenstrom durch die Hauptdifferenzstufe modellieren.</p>
申请公布号 DE102013018076(A1) 申请公布日期 2015.05.28
申请号 DE20131018076 申请日期 2013.11.26
申请人 ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 KAPOOR, NIRON
分类号 H03F3/45 主分类号 H03F3/45
代理机构 代理人
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