| 发明名称 | 一种新型晶体性能检测电路 | ||
| 摘要 | 本发明一种新型晶体性能检测电路，由待测晶体（X）、第一三极管（VT1）、第二三极管（VT2）、第一二极管（VD1）、第二二极管（VD2）、灯泡（D）、第一电容（C1）、第二电容（C2）、第三电容（C3）、第四电容（C4）组成；其中第一电容（C1）与第二电容（C2）串联然后与待测晶体（X）并联；第一三极管（VT1）的基极与待测晶体（X）连接，其集电极与电源正极连接；第二三极管（VT2）的发射极与电源地连接，其集电极与灯泡（D）连接。该检测电路是由两只晶体管构成的晶体性能测试电路，可以检测晶体能否振荡。 | ||
| 申请公布号 | CN104655952A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310600944.8 | 申请日期 | 2013.11.25 |
| 申请人 | 西安思创达通讯科技有限责任公司 | 发明人 | 巨杰 |
| 分类号 | G01R31/00(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智萃知识产权代理有限公司 61221 | 代理人 | 李东京 |
| 主权项 | 一种新型晶体性能检测电路，其特征在于：主要由待测晶体（X）、第一三极管（VT1）、第二三极管（VT2）、第一二极管（VD1）、第二二极管（VD2）、灯泡（D）、第一电容（C1）、第二电容（C2）、第三电容（C3）、第四电容（C4）组成；其中第一电容（C1）与第二电容（C2）串联然后与待测晶体（X）并联；第一三极管（VT1）的基极与待测晶体（X）连接，其集电极与电源正极连接；第二三极管（VT2）的发射极与电源地连接，其集电极与灯泡（D）连接。 | ||
| 地址 | 710065 陕西省西安市高新区高新四路高科花园12楼4单元1层102室 | ||