发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
本发明涉及一种发光器件。发光器件可以包括:发光结构,该发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层;在发光结构上的第一电极;以及在发光结构和第一电极中的一个的外围区域上的包括第一金属材料的保护层。 |
申请公布号 |
CN102237460B |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201110053978.0 |
申请日期 |
2011.03.04 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
丁焕熙 |
分类号 |
H01L33/30(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/30(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层;在所述发光结构上的第一电极;在所述发光结构和所述第一电极中的一个的外围区域上包括第一金属材料的保护层,并且所述保护层包括至少两层或更多层;以及钝化层,所述钝化层设置在所述发光结构的至少一部分上,其中,所述保护层包括金属层,所述发光结构包括粗糙或凹凸图案,并且其中,所述金属层接触所述第一半导体层。 |
地址 |
韩国首尔 |