一种晶圆测试方法

摘要

本发明提供一种晶圆测试方法，其包括:为晶圆设定非正常晶片映射图，其中该非正常晶片映射图包括有晶圆上的非正常晶片区域；和根据所述非正常晶片映射图对待测晶圆上的各个正常晶片区域进行测试而跳过对非正常晶片区域的测试。与现有技术相比，本发明为每个晶圆产品都产生非正常晶片映射图，在对该晶圆产品进行测试时，可以直接跳过非正常晶片区域，这样就节省了这些非正常晶片区域的走片时间和性能测试时间，从而降低芯片的成本。

主权项

一种晶圆测试方法，其特征在于，其包括:为晶圆设定非正常晶片映射图，其中该非正常晶片映射图包括有晶圆上的非正常晶片区域；和根据所述非正常晶片映射图对待测晶圆上的各个正常晶片区域进行测试而跳过对非正常晶片区域的测试，所述为晶圆设定非正常晶片映射图包括：对多个晶圆进行测试，将坏片几率高于预定值的晶片区域设定为非正常晶片区域；和将晶圆中的测试器件区域设定为非正常晶片区域，所述根据所述非正常晶片映射图对待测晶圆上的各个正常晶片区域进行测试而跳过非正常晶片区域包括：对待测晶圆上的一个正常晶片区域进行测试；判定下一个晶片区域是否属于非正常晶片区域，如果是，则重复此步骤，如果否，在对上一个正常晶片区域测试完成后将测试探针移动至下一个正常晶片区域并进行测试。