一种GaN基发光二极管芯片的制备方法

摘要

一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：（1）在p型GaN层的表面生长透明导电膜；（2）在透明导电膜表面制作出透明导电膜的导电层图形；（3）进行预烘烤，去除GaN基外延片表面水分及溶剂，制作出p型GaN台面结构光刻胶图形；（4）根据台面结构的图形刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面；（5）分别在透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；（6）在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。本发明省去常规的工艺中腐蚀后去胶步骤，简化了工艺流程，缩短了生产周期，提高工作效率，同时又降低了原材料的消耗。

主权项

一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在p型GaN层的表面生长一层氧化铟锡透明导电膜；（2）在透明导电膜表面涂上正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出电流扩展层台面图形，对GaN基外延片上光刻前所沉积的透明导电膜进行湿法腐蚀，腐蚀出由透明导电膜构成的电流扩展层台面图形；（3）对腐蚀后的GaN基外延片进行预烘烤，去除表面水分及溶剂，提高表面和光刻胶的粘附性，然后在表面匀正性光刻胶、曝光和显影，制作出p型GaN台面结构光刻胶图形；（4）根据台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n 型GaN层刻蚀出台面结构，在n 型GaN层上制备出台面，同时去除表面的光刻胶；（5）分别在透明导电膜和n 型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；（6）在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。