发明名称 |
一种采用原子层沉积原位制备超顺磁 Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub> 纳米管阵列的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列的方法,属于纳米管阵列制备技术领域。包括以下步骤:1)将洁净的AAO基片送入原子层沉积设备中,备用;2)将二茂铁蒸汽和氧气通入原子层沉积设备的载气系统,然后由载气系统送入真空反应腔体中,在氮气氛围中,开启原子层沉积循环,重复该循环数次,直至在AAO基片的表面和孔洞中生成均匀的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜;3)抛光去除AAO基片表面的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜;4)用碱溶液将AAO基片溶解后去除,得到排列整齐的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列。本发明方法操作简单,原料来源广,易实现,可以原位生长获得纵横比很大的,排列整齐,形貌和大小都非常均匀的超顺磁Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列。 |
申请公布号 |
CN104630742A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201510041756.5 |
申请日期 |
2015.01.27 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
刘明;张易军;任巍;叶作光 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
陆万寿 |
主权项 |
一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将洁净的AAO基片送入原子层沉积设备中,备用;2)以二茂铁为铁源,以氧气作为氧源;将二茂铁蒸汽和氧气交替通入原子层沉积设备的载气系统,然后由载气系统送入真空反应腔体中,在氮气氛围中,开启原子层沉积循环,重复该循环数次,直至在AAO基片的表面和孔洞中均匀沉积上所需厚度的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜;3)抛光去除AAO基片表面的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜;4)用碱溶液将AAO基片溶解后去除,得到排列整齐的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁西路28号 |