发明名称 一种采用原子层沉积原位制备超顺磁 Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub> 纳米管阵列的方法
摘要 本发明公开了一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列的方法,属于纳米管阵列制备技术领域。包括以下步骤:1)将洁净的AAO基片送入原子层沉积设备中,备用;2)将二茂铁蒸汽和氧气通入原子层沉积设备的载气系统,然后由载气系统送入真空反应腔体中,在氮气氛围中,开启原子层沉积循环,重复该循环数次,直至在AAO基片的表面和孔洞中生成均匀的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜;3)抛光去除AAO基片表面的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜;4)用碱溶液将AAO基片溶解后去除,得到排列整齐的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列。本发明方法操作简单,原料来源广,易实现,可以原位生长获得纵横比很大的,排列整齐,形貌和大小都非常均匀的超顺磁Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列。
申请公布号 CN104630742A 申请公布日期 2015.05.20
申请号 CN201510041756.5 申请日期 2015.01.27
申请人 西安交通大学 发明人 刘明;张易军;任巍;叶作光
分类号 C23C16/40(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C23C16/40(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 陆万寿
主权项 一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将洁净的AAO基片送入原子层沉积设备中,备用;2)以二茂铁为铁源,以氧气作为氧源;将二茂铁蒸汽和氧气交替通入原子层沉积设备的载气系统,然后由载气系统送入真空反应腔体中,在氮气氛围中,开启原子层沉积循环,重复该循环数次,直至在AAO基片的表面和孔洞中均匀沉积上所需厚度的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜;3)抛光去除AAO基片表面的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜;4)用碱溶液将AAO基片溶解后去除,得到排列整齐的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米管阵列。
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
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