一种类单晶硅片的烧结方法

摘要

本发明涉及一种简单的、适合类单晶多晶区域的烧结方法，通过降低8区温度，提高9区温度，延长液态Ag更充分接触到类单晶硅表面，然后进行短时间高温迅速加热，使得Ag与Si能更好的成为合金，为了有一定的温度梯度，所以在降低8区的温度的同时，降低了7区的温度。因此本发明的烧结方式是高温、快速，Ag-Si接触牢固，同时又不破坏P-N结，多晶区域的接触电阻有明显的改善，电池效率还有0.5%左右的提高，该方法工艺简单，烧结效果好。

主权项

一种类单晶硅片的烧结方法，其特征在于：具体步骤如下：（1）采用有一定多晶区域156×156的P型类单晶硅片，进行1%‑2%浓度的NaOH制绒；（2）采用常规156×156单晶的扩散、刻蚀、PECVD对步骤（1）制绒后的P型类单晶硅片进行处理；（3）烧结：把P型类单晶硅片放入烧结炉中，烧结炉中的烘干区1区温度330℃持续时间7.6s，2区温度320℃持续时间7.6s，3区温度350℃持续时间7.6s，4区温度550℃持续时间7.6s，5区温度520℃持续时间7.6s，6区温度530℃持续时间7.6s，7区温度550℃持续时间7.6s，烧结区8区温度615℃持续时间4.7s，9区温度895℃持续时间2.8s。