一种混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法，制备SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；生长N型Si外延，在双极器件区域制造SOI Si双极晶体管；在PMOS器件有源区刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（110）的多层结构的应变Si PMOS器件有源层，在该有源层上制备垂直沟道的压应变PMOS器件；在NMOS器件有源区刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（100）的多层结构的应变Si NMOS器件有源层，制备平面沟道张应变NMOS器件，构成导电沟道为22～45nm混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件；本发明充分利用应变Si材料迁移率高和应变Si材料应力与迁移率各向异性的特点，基于SOI衬底，制备出了性能优异的混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件及电路。

主权项

一种混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步、选取两片N型掺杂的Si片，其中一片晶面为(110)，一片晶面为(100)，两片掺杂浓度均为1～5×10¹⁵cm^‑3，对两片Si片表面进行氧化，氧化层厚度为0.5～1μm；将晶面为(100)的一片作为上层的基体材料，并在该基体材料中注入氢，将晶面为(110)的一片作为下层的基体材料；采用化学机械抛光(CMP)工艺对两个氧化层表面进行抛光；第二步、将两片Si片氧化层相对置于超高真空环境中在350～480℃的温度下实现键合；将键合后的Si片温度升高100～200℃，使上层基体材料在注入的氢处断裂，对上层基体材料多余的部分进行剥离，保留100～200nm的Si材料，并在其断裂表面进行化学机械抛光(CMP)，形成SOI衬底；第三步、利用化学汽相淀积(CVD)的方法，在600～800℃，在衬底表面淀积一厚度为300～500nm的SiO₂层，光刻埋层区域，对埋层区域进行N型杂质的注入，并在800～950℃，退火30～90min激活杂质，形成N型重掺杂埋层区域；第四步、在衬底表面外延生长一层掺杂浓度为1×10¹⁶～1×10¹⁷cm^‑3的Si层，厚度为2～3μm；第五步、在衬底表面热氧化一层厚度为300～500nm的SiO₂层，光刻隔离区域，利用干法刻蚀工艺，在深槽隔离区域刻蚀出深度为5～8μm的深槽；利用化学汽相淀积(CVD)的方法，在600～800℃，在深槽内填充SiO₂，用化学机械抛光(CMP)方法，去除表面多余的氧化层，形成深槽隔离；第六步、光刻集电区接触区，对集电区进行N型杂质的注入，并在800～950℃，退火30～90min激活杂质，形成掺杂浓度为1×10¹⁹～1×10²⁰cm^‑3的重掺杂集电极；第七步、在衬底表面热氧化一SiO₂层，光刻基区，对基区进行P型杂质 的注入，并在800～950℃，退火30～90min激活杂质，形成掺杂浓度为1×10¹⁸～5×10¹⁸cm^‑3的基区；第八步、在衬底表面热氧化一SiO₂层，光刻发射区，对衬底进行N型杂质的注入，并在800～950℃，退火30～90min激活杂质，形成掺杂浓度为5×10¹⁹～5×10²⁰cm^‑3的重掺杂发射区，在衬底表面利用化学汽相淀积(CVD)的方法，在600～800℃，淀积一SiO₂层；第九步、光刻PMOS器件有源区，在PMOS器件有源区，利用干法刻蚀，刻蚀出深度为3.4～5.3μm的深槽，将中间的氧化层刻透；利用化学汽相淀积(CVD)方法，在600～750℃，在(110)晶面衬底的PMOS器件有源区上选择性外延生长七层材料：第一层是N型Si缓冲层，厚度为1.5～2.5μm，该层将深槽填满，掺杂浓度为1～5×10¹⁵cm^‑3；第二层是厚度为1.5～2μm的N型SiGe渐变层，底部Ge组分是0％，顶部Ge组分是15～25％，掺杂浓度为1～5×10¹⁵cm^‑3；第三层是Ge组分为15～25％，厚度为200～400nm的P型SiGe层，掺杂浓度为5～10×10²⁰cm^‑3，作为PMOS器件的漏区；第四层是厚度为3～5nmP型应变Si层，掺杂浓度为1～5×10¹⁸cm^‑3，作为第一P型轻掺杂源漏结构(P‑LDD)层；第五层是厚度为22～45nm的N型应变Si作为沟道区，掺杂浓度为5×10¹⁶～5×10¹⁷cm^‑3；第六层是厚度为3～5nm的P型应变Si层，掺杂浓度为1～5×10¹⁸cm^‑3，作为第二P型轻掺杂源漏结构(P‑LDD)层；第七层是Ge组分为15～25％，厚度为200～400nm的P型SiGe，掺杂浓度为5～10×10¹⁹cm^‑3，作为PMOS器件的源区；第十步、光刻NMOS器件有源区，在NMOS器件有源区，利用干法刻蚀，刻蚀出深度为2～3μm的深槽，利用化学汽相淀积(CVD)方法，在600～750℃，在(100)晶面衬底的NMOS器件有源区上选择性外延生长四层材料：第一层是厚度为200～400nm的P型Si缓冲层，掺杂浓度为1～5×10¹⁵cm^‑3；第二层是厚度为1.6～2.2μm的P型SiGe渐变层，底部Ge组分是0％，顶部Ge组分是15～25％，掺杂浓度为1～5×10¹⁵cm^‑3；第三 层是Ge组分为15～25％，厚度为200～400nm的P型SiGe层，掺杂浓度为1～5×10¹⁶cm^‑3；第四层是厚度为15～20nm的N型应变Si层，掺杂浓度为5×10¹⁶～5×10¹⁷cm^‑3作为NMOS器件的沟道；第十一步、利用干法刻蚀工艺，在PMOS器件源漏隔离区刻蚀出深度为0.3～0.5μm的浅槽；再利用化学汽相淀积(CVD)方法，在600～800℃，在浅槽内填充SiO₂；最后，用化学机械抛光(CMP)方法，除去多余的氧化层，形成浅槽隔离；第十二步、在衬底表面利用化学汽相淀积(CVD)方法，在600～800℃，淀积一层SiO₂缓冲层和一层SiN，刻蚀出漏沟槽窗口，利用干法刻蚀工艺，在PMOS器件漏区域刻蚀出深度为0.3～0.7μm漏沟槽；利用化学汽相淀积(CVD)方法，在600～800℃，在衬底表面淀积一层SiO₂，形成PMOS器件漏沟槽侧壁隔离；利用干法刻蚀去除平面的SiO₂层，只保留PMOS器件漏沟槽侧壁SiO₂层；利用化学汽相淀积(CVD)方法，在600～800℃，在衬底表面淀积掺杂浓度为1～5×10²⁰cm^‑3的P型Poly‑Si，将PMOS器件漏沟槽填满，再去除掉PMOS器件漏沟槽表面以外的Poly‑SiGe，形成漏连接区；第十三步、利用干法刻蚀工艺，在PMOS器件栅区域刻蚀出深度为0.5～0.9μm栅沟槽；利用原子层化学汽相淀积(ALCVD)方法，在300～400℃，在衬底表面淀积厚度为6～10nm的高介电常数的HfO₂层，作为PMOS器件栅介质层；利用化学汽相淀积(CVD)方法，在600～800℃，在衬底表面淀积掺杂浓度为1～5×10²⁰cm^‑3的P型Poly‑SiGe，Ge组分为10～30％，将PMOS器件栅沟槽填满，再去除掉PMOS器件栅沟槽表面以外的Poly‑SiGe和SiO₂层作为栅区，形成PMOS器件；第十四步、刻蚀出NMOS器件有源区，利用原子层化学汽相淀积(ALCVD)方法，在300～400℃，在衬底表面淀积厚度为6～10nm的高介电常数的HfO₂层，作为NMOS器件栅介质层；再淀积一层本征Poly‑SiGe，厚度为100～300nm，Ge组分为10～30 ％，刻蚀NMOS器件栅极；光刻NMOS器件有源区，对NMOS器件进行N型离子注入，形成掺杂浓度为1～5×10¹⁸cm^‑3的N型轻掺杂源漏结构(N‑LDD)；在整个衬底淀积一厚度为3～5nm的SiO₂层，干法刻蚀掉这层SiO₂，作为NMOS器件栅极侧墙，形成NMOS器件栅极；第十五步、在NMOS器件有源区进行N型磷离子注入，自对准生成NMOS器件的源区和漏区，使源区和漏区掺杂浓度达到1～5×10²⁰cm^‑3；第十六步、光刻出NMOS器件、PMOS器件的源、漏和栅，以及双极器件的发射极、基极和集电极的引线窗口，在整个衬底上溅射一层金属钛(Ti)合金，自对准形成金属硅化物，清洗表面多余的金属，形成金属接触；光刻引线，构成导电沟道为22～45nm的具有混合晶面垂直沟道应变BiCMOS集成器件。