| 发明名称 | 半导体芯片的制造方法、半导体芯片及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式涉及半导体芯片的制造方法、半导体芯片及半导体装置。实施方式的半导体芯片的制造方法包括：在半导体基板上形成分别包含保护膜的多个蚀刻掩膜，划分出所述半导体基板中的被所述多个蚀刻掩膜保护的多个第1区域和所述半导体基板中的作为露出的区域的第2区域；通过化学蚀刻处理将所述第2区域各向异性地除去，形成分别具有至少一部分位于与所述蚀刻掩膜的端面同一面内的侧壁和到达所述半导体基板的背面的底部的多个槽，由此，将所述半导体基板单片化成与所述多个第1区域对应的多个芯片主体。 | ||
| 申请公布号 | CN104637877A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201410640037.0 | 申请日期 | 2014.11.13 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 浅野佑策;樋口和人;富冈泰造;井口知洋 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 戚宏梅;杨谦 |
| 主权项 | 一种半导体芯片的制造方法，其中，包括以下步骤：在半导体基板上形成分别包含保护膜的多个蚀刻掩膜，划分出所述半导体基板中的被所述多个蚀刻掩膜保护的多个第1区域和所述半导体基板中的作为露出的区域的第2区域；通过化学蚀刻处理将所述第2区域各向异性地除去，形成分别具有至少一部分位于与所述蚀刻掩膜的端面同一面内的侧壁和到达所述半导体基板的背面的底部的多个槽，由此，将所述半导体基板单片化成与所述多个第1区域对应的多个芯片主体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||