发明名称 |
半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
在一实施例中,半导体装置包含半导体基板及在基板上之第一及第二导电类型的第一及第二电晶体。第一电晶体包含在基板上之第一闸极电极;第二导电类型之第一源极区及第一导电类型之第一汲极区,设置以插入第一闸极电极;以及第一或第二导电类型之第一通道区,设置在第一源极区与第一汲极区之间。第二电晶体包含在基板上之第二闸极电极;第一导电类型之第二源极区及第二导电类型之第二汲极区,设置以插入第二闸极电极;以及第二通道区,设置在第二源极区与第二汲极区之间,且具有与第一通道区相同的导电类型。 |
申请公布号 |
TW201519448 |
申请公布日期 |
2015.05.16 |
申请号 |
TW103105193 |
申请日期 |
2014.02.18 |
申请人 |
东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
外园明 HOKAZONO, AKIRA;后藤正和 GOTO, MASAKAZU;近藤佳之 KONDO, YOSHIYUKI |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |