| 发明名称 | MRAM字线功率控制方案 | ||
| 摘要 | 用于控制磁阻随机存取存储器(MRAM)的字线(WL)处的WL功率电平的系统、电路和方法。所公开的功率控制方案使用与MRAM相关联的现有读/写命令和现有功率生成模块来供应和控制WL功率电平，藉此消除了通过MRAM宏上相对较大且昂贵的功率控制开关和控制电路系统来控制WL功率的方案的成本和增大的管芯大小。 | ||
| 申请公布号 | CN104603882A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201380045780.5 | 申请日期 | 2013.09.04 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | S·金;J·P·金;T·金;S·H·康;M·M·诺瓦克;M·巴特纳格尔 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;G11C8/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李小芳 |
| 主权项 | 一种装置(70)，包括：包括磁阻随机存取存储器(MRAM)(91)的存储器模块(90)；以及包括选择器(76)的功率生成模块(72)，所述选择器被配置成响应于写命令或读命令中的至少一者向所述MRAM的字线提供不同功率电平。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||