一种快恢复二极管的器件结构

摘要

本发明公开了一种快恢复二极管的器件结构，器件的有源区包括以下特征：表面至少有一部份为p型区，深度大于2um，表面浓度为1×10¹⁵/cm³至1×10¹⁸/cm³，在表面处约0.3um至2.0um之下至少有兩个独立浮动n+型层，n+型层与n+型层之间的距离大于0.2um，浓度小于5×10¹⁹/cm³，在n+型层之上有p+型层，p+型层的表面浓度大于1×10¹⁸/cm³，直接与表面金属相接触，在正向电流小于额定值时，电流主要流经n+型层与n+型层之间的开口，当浪涌电流发生时，电流也流经p+/n+型层。

主权项

一种半导体功率器件至少有一部份为快恢复二极管，快恢复二极管在有源区的表面结构包括以下部分：(1)表面至少有一部份为p型区，p型区的深度大于2um，p型区表面浓度为1×10¹⁵/cm³至1×10¹⁸/cm³；(2)在靠近p型区表面处约0.3um至2.0um之下至少有兩个独立浮动n+型层6，即n+型层不直接被连接至表面电极，n+型层与n+型层之间的距离大于0.2um，n+型层厚度小于2.0um，浓度小于5×10¹⁹/cm³，宽度大于1.0um，可以为任何儿何型状；(3)在n+型层之上有p+型层7，p+型层的表面浓度大于1×10¹⁸/cm³，p+型层厚度小于1.5um，直接与表面金属相接触，p+型层与金属的接触可以是透明电极，也可以是一般的欧姆接触；(4)在器件表面有钝化层。