基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池。其自上而下包括栅线电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、P型非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、硅纳米线绒面层(5)、N型硅衬底(6)、背面本征非晶硅层(7)、N型非晶硅层(8)、AZO氧化锌透明导电膜(9)和背电极(10)。其中硅纳米线绒面层(5)是通过溶液转移至N型硅衬底(6)上形成的相互交叉堆叠的硅纳米线层，每根硅纳米线直径为40-80nm，长度为20-40μm，该硅纳米线层具有强烈的陷光特性，能够有效降低硅衬底表面的光反射率。本实用新型提高了异质结太阳能电池对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

主权项

一种基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，自上而下包括栅线电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、P型非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、N型硅衬底(6)、背面本征非晶硅层(7)、N型非晶硅层(8)、AZO氧化锌透明导电膜(9)和背电极(10)，其特征在于：所述本征非晶硅层(4)与N型硅衬底(6)之间增设有硅纳米线绒面层(5)。