| 发明名称 | 离子注入机台的水汽监控方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种离子注入机台的水汽监控方法，提供一监控晶片；在所述监控晶片上形成一有机层；将所述监控晶片放入所述离子注入机台，对所述监控晶片进行离子注入工艺；去除所述有机层；以及检测所述监控晶片的表面是否有一在离子注入工艺中形成的表面氧化层，如果所述监控晶片的表面存在所述表面氧化层，检测所述表面氧化层的厚度。所述离子注入机台的水汽监控方法可以方便、有效地监控离子注入机台的水汽情况。 | ||
| 申请公布号 | CN104599996A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201510052268.4 | 申请日期 | 2015.01.31 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 国子明;郭国超;张凌越;姚蕾 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种离子注入机台的水汽监控方法，其特征在于，包括：提供一监控晶片；在所述监控晶片上形成一有机层；将所述监控晶片放入所述离子注入机台，对所述监控晶片进行离子注入工艺；去除所述有机层；以及检测所述监控晶片的表面是否有一在离子注入工艺中形成的表面氧化层，如果所述监控晶片的表面存在所述表面氧化层，检测所述表面氧化层的厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||