发明名称 电阻式记忆体装置及其制作方法;RESISTIVE MEMORY DEVICE AND FABRICATION THEREOF
摘要 一种电阻式记忆体装置,包括:一基板;一下电极,位于基板上方;一下电阻转态层,位于下电极上;一界面层,位于下电阻转态层与下电极间;一上电阻转态层,位于下电阻转态层上;及一上电极,位于上电阻转态层上。
申请公布号 TW201517338 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW102137251 申请日期 2013.10.16
申请人 华邦电子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. 发明人 曾俊元 TSENG, TSEUNG YUEN;黄骏扬 HUANG, CHUN YANG;黄崇佑 HUANG, CHUNG YU;蔡宗霖 TSAI, TSUNG LING
分类号 H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/324(2006.01);G11C13/00(2006.01) 主分类号 H01L45/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 台中市大雅区科雅一路8号 TW