发明名称 |
一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法,所述碲化铋材料的组成通式为Cu<sub>x</sub>Bi<sub>0.3</sub>Sb<sub>1.7-x</sub>Te<sub>3</sub>,其中0.005≤x≤0.02。本发明中碲化铋材料通过自掺杂及Cu掺杂有效提高了材料的载流子浓度,使得材料电性能得到显著优化,同时本征激发受到抑制。优化后的材料在550K附近温区的热电性能得到大幅提升。 |
申请公布号 |
CN104555950A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201510051468.8 |
申请日期 |
2015.01.30 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
史迅;郝峰;陈立东 |
分类号 |
C01B19/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B19/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 |
代理人 |
曹芳玲;郑优丽 |
主权项 |
一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料,其特征在于,所述碲化铋材料的组成通式为Cu<sub>x</sub>Bi<sub>0.3</sub>Sb<sub>1.7‑x</sub>Te<sub>3</sub>,其中0.005≤x≤0.02。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |