发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungsmodul, das durch Verbinden der entgegengesetzten Seiten eines Chips mit Lot erhalten wird und verhindert, dass die Seitenflächen eines Basisabschnitts mit Lot benetzt werden, wodurch andernfalls Verbindungsfehler des Lots oder ein Chipversatz hervorgerufen werden würden und auch das Abschälen von Gießharz verhindert wird, das andernfalls den Chip brechen würde oder die Lebensdauer des Lots verkürzen würde. Der Basisabschnitt ist mit einem der Leiterrahmen integral ausgebildet, und die Seitenflächen des Basisabschnitts und die Oberfläche des Hauptkörpers des Leiterrahmens werden aufgerauht, damit sie eine verringerte Lotbenetzbarkeit aufweisen. Dagegen wird die Lötverbindungsfläche des Basisabschnitts nicht aufgerauht, um die Lotbenetzbarkeit zu gewährleisten. Dementsprechend können Fehler reduziert werden, die während der Lötverbindung auftreten können, und lässt sich ein sehr zuverlässiges Leistungsmodul erhalten.
申请公布号 DE112013003902(T5) 申请公布日期 2015.04.16
申请号 DE20131103902T 申请日期 2013.09.04
申请人 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. 发明人 IDE, EIICHI,;YAMASHITA, SHIRO,;YOOSHINARI, HIDETO,;KUME, TAKASHI,;FUJINO, SHINICHI,
分类号 H01L23/48;H01L23/28 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
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