半导体组件及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体组件的细微图案的制造方法，此方法包含在基底上依序形成基础层、第一屏蔽图案以及第二屏蔽图案，第一屏蔽图案具有第一宽度的相同特征及倾斜侧壁，第二屏蔽图案具有第二宽度的相同特征，其中任两个相邻的倾斜侧壁之间的最小距离等于第二宽度。使用第一屏蔽图案作为蚀刻屏蔽，蚀刻基础层形成具有第二宽度的第一开口，形成填充层覆盖在基底上，移除第二屏蔽图案，在填充层内形成第二开口，然后经由第二开口蚀刻第一屏蔽图案与基础层形成第三开口，移除填充层与第一屏蔽图案形成基础层图案，其具有第三宽度的相同特征，其中第三宽度等于第二宽度。

主权项

一种半导体组件的制造方法，包括：在基底上依序形成基础层、第一屏蔽图案以及第二屏蔽图案，所述第一屏蔽图案具有多个具有第一宽度的相同的特征且具有倾斜侧壁，其中所述第一宽度为所述第一屏蔽图案的所述特征的顶端宽度，所述第二屏蔽图案具有多个具有第二宽度的相同的特征，其中任两个相邻的所述倾斜侧壁之间的最小距离等于所述第二宽度；使用所述第一屏蔽图案作为蚀刻屏蔽，蚀刻所述基础层以形成多个具有所述第二宽度的第一开口；形成填充层覆盖所述基底，其中所述填充层填充在所述基础层的所述第一开口中，并且所述填充层还填充在所述第一屏蔽图案的所述倾斜侧壁之间；移除所述第二屏蔽图案，在所述填充层内形成多个第二开口；经由所述多个第二开口蚀刻所述第一屏蔽图案与所述基础层，形成多个第三开口；以及移除所述填充层和所述第一屏蔽图案，形成基础层图案，所述基础层图案具有多个具有第三宽度的相同的特征，其中所述基础层图案的所述特征的所述第三宽度等于所述第二宽度。