高品质ＧａＮ高电压矽异质结构场效电晶体,申请号TW101145982-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	高品质ＧａＮ高电压矽异质结构场效电晶体
摘要
申请公布号	TWI481027	申请公布日期	2015.04.11
申请号	TW101145982	申请日期	2012.12.07
申请人	电源整合公司	发明人	蓝丹尼　杰莫;艾德伍兹　强;刘玲玲
分类号	H01L29/778;H01L21/205	主分类号	H01L29/778
代理机构		代理人	林秋琴台北市大安区敦化南路1段245号8楼;陈彦希台北市大安区敦化南路1段245号8楼
主权项	一种形成GaN层在矽基材上之方法，该方法包括：形成一AlSiO的非晶质薄膜介于一矽晶圆与该矽晶圆之一表面上的一Al2O3薄膜之间；及沉积复数个叠层在该Al2O3薄膜上，其中每一叠层包括一GaN层，且覆盖于一AlN层上。
地址	美国

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