用于刻蚀工艺前清洁腔室的装置及方法

摘要

本发明涉及阵列基板生产工艺中干法刻蚀工艺技术领域，公开了一种用于刻蚀工艺前清洁基板的装置，所述装置为一腔室，包括腔室本体，用于放置和传递基板。本发明还提供了一种刻蚀工艺前清洁基板的方法。本发明所设计的装置可以用于在干法刻蚀之前对其腔室本身内部环境进行清洁，最大程度上清除颗粒污染对阵列基板性能可能会造成的影响。

主权项

一种用于刻蚀工艺前清洁腔室的方法，所述腔室包括腔室本体，用于放置和传递基板，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用能够使得颗粒污染发生的工艺条件对所述腔室内环境进行处理；其中步骤S1的工艺条件为：腔室压力5‑200mt，电极功率5000‑18000W，反应气体为SF6、He中的一种或组合，气体总流量5000‑20000sccm；S2、在一定腔室压力条件下，清除所述腔室内的颗粒污染；其中步骤S2的工艺条件为：腔室压力0.1‑10mt，电极功率5000‑18000W，反应气体为SF6、He中的一种或组合，气体总流量5000‑20000sccm。