| 摘要 |
<p>본 발명은, 처리실 내에 수용되고 제1 온도로 가열된 기판에 대하여 실리콘을 포함하는 원료 가스를 공급하는 것에 의해 상기 기판 상에 실리콘 함유층을 형성하는 공정; 상기 처리실 내에 잔류하는 상기 원료 가스를 상기 처리실 내로부터 배제하는 공정; 상기 제1 온도 이상의 제2 온도로 가열된 대기압 미만의 압력 분위기 하에 있는 반응 예비실 내에서 산소 함유 가스와 수소 함유 가스를 논 플라즈마의 분위기 하에서 반응시켜서 산소를 포함하는 반응종을 생성하고, 상기 반응종을 대기압 미만의 압력 분위기 하에 있는 상기 처리실 내의 상기 제1 온도로 가열된 상기 기판에 대하여 공급하는 것에 의해 상기 기판 상에 형성된 상기 실리콘 함유층을 산화하여 실리콘 산화층으로 변화시키는 공정; 및 상기 처리실 내에 잔류하는 상기 반응종, 상기 산소 함유 가스, 상기 수소 함유 가스를 상기 처리실 내로부터 배제하는 공정;을 이 순서대로 수행하는 사이클을 복수 회 반복하는 것에 의해 상기 기판 상에 소정 막 두께의 실리콘 산화막을 형성한다.</p> |
