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<p>반도체 기판 상에, 하기 일반식(I)으로 표시되는 화합물을 포함하는 패시베이션층 형성용 조성물을 부여하여 조성물층을 형성하는 공정과, 상기 조성물층을 300℃∼1000℃에서 열처리하여 패시베이션층을 형성하는 공정을 포함하는 패시베이션층이 형성된 반도체 기판의 제조 방법. M(OR1)(m) (I) [식중, M은 Nb, Ta, V, Y 및 Hf로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 원소를 포함하고, R은 각각 독립적으로 탄소수 1∼8의 알킬기 또는 탄소수 6∼14의 아릴기를 나타내고, m은 1∼5의 정수를 나타낸다.]</p> |
