发明名称 半导体装置之制造方法,基板处理装置及记录媒体
摘要 本发明系用于提升形成在基板上之薄膜的特性,并且提升制造产量。;本发明之半导体装置之制造方法系包括有:对基板供给原料气体之步骤;对电浆产生区域供给反应气体之步骤;对上述电浆产生区域供给高频电力之步骤;及将供给上述反应气体之前之上述电浆产生区域内之压力加以设定为第1压力,而在供给有上述反应气体与上述高频电力之状态下加以调整至较上述第1压力为低之第2压力而产生上述反应气体之电浆之步骤。
申请公布号 TW201513220 申请公布日期 2015.04.01
申请号 TW103123280 申请日期 2014.07.07
申请人 日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 丰田一行 TOYODA, KAZUYUKI;广地志有 HIROCHI, YUKITOMO;山本哲夫 YAMAMOTO, TETSUO;盛满和广 MORIMITSU, KAZUHIRO;高崎唯史 TAKASAKI, TADASHI
分类号 H01L21/31(2006.01);H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/31(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣宿希成
主权项
地址 日本 JP