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<p>Una memoria de acceso aleatorio magneto-resistente, de fuerza de torsión de transferencia de giro, en adelante denominada STT-MRAM, que comprende: una célula (401) de bits con un empalme de túnel magnético (MTJ) (405) y un transistor (410) de línea de palabras, en en la que la célula (401) de bits está acoplada con una línea (420) de bits y una línea (440) de origen; y un controlador (432) de línea de palabras acoplado con una compuerta del transistor (410) de línea de palabras, en en la que el controlador (432) de línea de palabras está configurado para proporcionar un voltaje de línea de palabras (VWL) mayor que un voltaje de suministro por debajo de un voltaje de transición (Vtrans) del voltaje de suministro (Vdd), caracterizada porque el controlador (432) de línea de palabras está adicionalmente configurado para proporcionar un voltaje menor que el voltaje de suministro (Vdd) para voltajes de suministro por encima del voltaje de transición (Vtrans), y en la cual el voltaje de línea de palabras (VWL) está fijado en, o por debajo de, un voltaje límite (WL_lim) después de alcanzar el voltaje de transición (Vtrans); y el voltaje (VWL) de la línea de palabras es reducido después de alcanzar el voltaje de transición (Vtrans).</p> |
