发明名称 |
用于清洗金属残留物的方法和溶液 |
摘要 |
本发明涉及用于清洗金属残留物的方法和溶液,具体提供一种用于处理半导体器件的溶液,该溶液包含:活化剂,该活化剂包括吡啶、吡咯、吡咯烷、嘧啶、N,N-二甲基甲酰胺、氯化四乙胺、4-吡啶硫醇、或者具有单个N孤对电子活化剂的其它有机化合物中的至少一种;和蚀刻剂,该蚀刻剂包括氯化亚砜、Cl<sub>2</sub>、Br<sub>2</sub>、I<sub>2</sub>、SOF<sub>2</sub>、SOF<sub>4</sub>、SO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>、SOBr<sub>2</sub>、S<sub>2</sub>O<sub>6</sub>F<sub>2</sub>、HSO<sub>3</sub>F、或C<sub>2</sub>Cl<sub>4</sub>O<sub>2</sub>中的至少一种。 |
申请公布号 |
CN104451753A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410475090.X |
申请日期 |
2014.09.17 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
萨曼塔·S·H·坦;亚历山大·卡班斯凯;乔伊迪普·古哈 |
分类号 |
C23G5/02(2006.01)I;C23F1/10(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23G5/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
李献忠 |
主权项 |
一种用于处理半导体器件的溶液,其包含:活化剂,所述活化剂包括吡啶、吡咯、吡咯烷、嘧啶、N,N‑二甲基甲酰胺、氯化四乙胺、4‑吡啶硫醇、或者具有单个N孤对电子活化剂的其它有机化合物中的至少一种;和蚀刻剂,所述蚀刻剂包括二氯亚砜(SOCl<sub>2</sub>)、Cl<sub>2</sub>、Br<sub>2</sub>、I<sub>2</sub>、SOF<sub>2</sub>、SOF<sub>4</sub>、SO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>、SOBr<sub>2</sub>、S<sub>2</sub>O<sub>6</sub>F<sub>2</sub>、HSO<sub>3</sub>F、或C<sub>2</sub>Cl<sub>4</sub>O<sub>2</sub>中的至少一种。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |