发明名称 | 单片并联互连结构 | ||
摘要 | 具有单片互连结构的光电子器件包括连续阳极层、不连续阴极层和夹在该连续阳极层和该不连续阴极层之间的电活性层。 | ||
申请公布号 | CN102549797B | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
申请号 | CN201080044936.4 | 申请日期 | 2010.08.26 |
申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | D·S·法库哈;A·R·杜加尔;M·S·赫措格;J·M·尤曼斯;S·拉库夫;L·A·博伊德 |
分类号 | H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张金金;朱海煜 |
主权项 | 一种用于制造光电子器件的方法,所述方法包括:利用卷装设备运送包括连续的未图案化的阳极层的卷幅,同时在所述连续的未图案化的阳极层上形成图案化的电活性层;以及在所述电活性层上形成图案化的阴极层;其中:在卷幅方向上选择性地去除所述电活性层的部分;以及在选择性地去除所述电活性层的部分后,仅在剩余的所述电活性层的部分上沉积阴极层;不停止地形成卷幅横向图案。 | ||
地址 | 美国纽约州 |