发明名称 |
钻石装置上的石墨烯及其相关方法 |
摘要 |
本发明公开了一种钻石装置上的石墨烯及其相关方法。例如,一方面,提供一种在钻石基材上形成石墨烯的方法,该方法可包括涂布一金属层至钻石基材的结晶面;以及在真空下加热该钻石基材,以将位于结晶面的一部分钻石基材转变为石墨烯。另一方面,金属层仅涂布在具有相同结晶配向的钻石基材面上。又一方面,该金属层仅涂布在该钻石基材的单一结晶面。此外,再一方面,将位于结晶面的一部分钻石基材转变为石墨烯包括通过一麻田散体变态转变该部分的钻石基材。 |
申请公布号 |
CN102583327B |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201210008314.7 |
申请日期 |
2012.01.12 |
申请人 |
宋健民 |
发明人 |
宋健民 |
分类号 |
C01B31/04(2006.01)I;C01B31/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟 |
主权项 |
一种在钻石基材上形成石墨烯的方法,其包含: 涂布一金属层至一钻石基材的一结晶面,所述金属层为金属合金,该金属合金包括一第一成份及第二成份,所述第一成份选自下列所构成的群组:铁、镍、钴及其组合物,所述第二成份选自下列所构成的群组:铜、锌及其组合物;以及 在10<sup>‑4</sup>托耳至大约10<sup>‑6</sup>托耳之真空及一氢气气氛下加热所述钻石基材至介于600℃及1400℃之间的温度,以将位于所述结晶面的一部分钻石基材转变为石墨烯,且所述石墨烯以磊晶方式对齐所述钻石基材的结晶表面,其中所述石墨烯经配向,以致使得实质上全部的石墨烯平面平行于所述结晶表面。 |
地址 |
中国台湾新北市 |