制造半导体器件的方法及半导体器件

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1-1-1]方向上偏离了0.5°至1.0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0-1-1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0-11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在包围衬底的第一区域的区域中形成掩模；(b)在所述衬底的所述第一区域中生长第一半导体层；以及(c)在所述第一半导体层之上生长第二半导体层，其中所述衬底从(100)平面在[1‑1‑1]方向上倾斜了0.5°至1.0°范围内的角度，以及其中所述衬底、所述第一半导体层、和所述第二半导体层由Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体构成。