发明名称 半導体装置およびそれを備えた電源システム
摘要 <p>半導体装置(40)において、抵抗分圧回路(43)は、供給配線(41)とアナログ制御信号(AFB)の出力ノード(ND)とを接続する第1の抵抗素子(431)と、出力ノード(ND)とグランドとを接続する第2の抵抗素子(432)と、制御回路(47)によってオンオフされる第1のスイッチング素子(433)と、供給配線(41)の電圧と同じ大きさの電圧を受けてオンする第2のスイッチング素子(434)とを有し、制御回路(47)は、電源電圧(VDD)が所定の電圧になるまでは、第1のスイッチング素子(433)をオンし、その後、第1のスイッチング素子(433)をオンオフする。</p>
申请公布号 JPWO2013038583(A1) 申请公布日期 2015.03.23
申请号 JP20130533460 申请日期 2012.06.14
申请人 发明人
分类号 H02M3/155;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04 主分类号 H02M3/155
代理机构 代理人
主权项
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