发明名称 |
鳍式场效应晶体管及其形成方法 |
摘要 |
一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,其中,鳍式场效应晶体管的形成方法包括:提供基底,在基底上形成有鳍部;在鳍部表面形成碳硅层;对碳硅层进行热分解,使部分厚度或全部厚度的碳硅层变成石墨烯层;对石墨烯层进行氢化处理,在石墨烯层表层形成含氢能隙结构;在石墨烯层上形成栅介质层,在栅介质层上形成横跨栅介质层的第一栅极;去除鳍部两端的栅介质层和石墨烯层,在暴露的鳍部表面形成具有掺杂的外延层,外延层与第一栅极之间为剩余的栅介质层和石墨烯层所隔开,位于鳍部两端具有掺杂的外延层分别作为源极、漏极。本技术方案的含氢能隙结构在石墨烯层中引入能隙,具有含氢能隙结构的石墨烯层作为沟道区,提高晶体管中载流子的迁移率。 |
申请公布号 |
CN104425599A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310379947.3 |
申请日期 |
2013.08.27 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张海洋 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,在所述基底上形成有鳍部;在所述鳍部表面形成碳硅层;对所述碳硅层进行热分解,所述碳硅层中的硅汽化,使部分厚度或全部厚度的碳硅层变成石墨烯层;对所述石墨烯层进行氢化处理,在所述石墨烯层表层形成含氢能隙结构;在具有含氢能隙结构的所述石墨烯层上形成栅介质层,在所述栅介质层上形成横跨栅介质层的第一栅极;去除所述鳍部两端的栅介质层和石墨烯层,在暴露的鳍部表面形成具有掺杂的外延层,所述外延层与第一栅极之间为剩余的栅介质层和石墨烯层所隔开,位于所述鳍部两端表面的具有掺杂的外延层分别作为源极、漏极;当部分厚度碳硅层变成石墨烯层时,去除所述鳍部两端的栅介质层和石墨烯层时,还去除鳍部两端的剩余碳硅层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |