发明名称 晶圆级芯片封装结构
摘要 本实用新型涉及一种晶圆级芯片封装结构,包括芯片,上表面形成有切割道,切割道由芯片的上表面向芯片的下表面延伸;种子层,形成芯片的上表面,使切割道露出;金属凸块,形成于种子层上;焊球,形成于金属凸块上,并且焊球的顶部呈平面;保护胶,涂覆于种子层上表面和芯片外周,并且保护胶填充于切割道内,还包裹金属凸块以及焊球的外周,焊球顶部的平面从保护胶中露出;散热层,形成于芯片的下表面。用保护胶包裹、填充晶圆级芯片封装结构,至少能够保证保护胶覆盖的位置在后续的生产制造过程中不会发生崩边等破碎失效的情形,提高了产品的可靠性。
申请公布号 CN204216021U 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201420564129.0 申请日期 2014.09.28
申请人 南通富士通微电子股份有限公司 发明人 丁万春
分类号 H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人 孟阿妮;郭栋梁
主权项 一种晶圆级芯片封装结构,其特征在于,包括:芯片,所述芯片的上表面形成有切割道,所述切割道由所述芯片的上表面向所述芯片的下表面延伸;种子层,形成于所述芯片的上表面,并且使所述切割道露出;金属凸块,形成于所述种子层上;焊球,形成于所述金属凸块上,并且所述焊球的顶部呈平面;保护胶,涂覆于所述种子层上表面和所述芯片外周,并且所述保护胶填充于所述切割道内,还包裹所述金属凸块以及所述焊球的外周,所述焊球顶部的平面从所述保护胶中露出;散热层,形成于所述芯片的下表面。
地址 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号