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经营范围
发明名称
蚀刻装置;ETCHING APPARATUS
摘要
一种蚀刻装置,适于对一被蚀刻物进行蚀刻。蚀刻装置包括一蚀刻反应室、一正压提供单元、一传送单元、一喷洒单元以及多个排废管。正压提供单元连接蚀刻反应室,以提供一正压气体至蚀刻反应室,其中,正压气体之压力大于蚀刻反应室之一初始压力。传送单元用以承载并传送被蚀刻物至蚀刻反应室内。喷洒单元配置于蚀刻反应室内并位于传送单元上方。喷洒单元包括多个喷嘴,以喷洒蚀刻液,其中各喷嘴喷洒蚀刻液的一喷压实质上大于正压气体之压力。正压气体之压力将蚀刻反应室内的废液及废气经由排废管排至蚀刻反应室外。
申请公布号
TW201508834
申请公布日期
2015.03.01
申请号
TW102129552
申请日期
2013.08.16
申请人
欣兴电子股份有限公司 UNIMICRON TECHNOLOGY CORP.
发明人
王道子 WANG, DOAU TZU;萧玉琳 HSIAO, YU LIN;陈建宏 CHEN, CHIEN HUNG;邱碧珍 CHIU, PI CHEN
分类号
H01L21/306(2006.01)
主分类号
H01L21/306(2006.01)
代理机构
代理人
詹铭文叶璟宗
主权项
地址
桃园市桃园区龟山工业区兴邦路38号 TW
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