发明名称 半导体装置与其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 本发明之半导体装置,包括第一型区域,其包括第一导电型。半导体装置包括第二型区域,其包括第二导电型。半导体装置包括第三型区域,其包括与第一导电型相反的第三导电型,且第三型区域覆盖第一型区域。半导体装置包括第四型区域,包括与第二导电型相反的第四导电型,且第四型区域覆盖第二型区域。半导体装置包括通道区,其延伸于第三型区域与第四型区域之间。
申请公布号 TW201508924 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW103101236 申请日期 2014.01.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 奥克兰 理查 肯尼士 OXLAND, RICHARD KENNETH;荷兰德 马丁 克里斯多福 HOLLAND, MARTIN CHRISTOPHER;布渥卡 克里希纳 库马 BHUWALKA, KRISHNA KUMAR
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW