| 发明名称 | 光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 | ||
| 摘要 | 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含用于产生初级辐射(P)的至少一个有源层(3)。此外，半导体层序列(2)包括多个转换层(4)，其中这些转换层构建为将初级辐射(P)至少部分吸收并且转换成相对于初级辐射(P)更长波的次级辐射(S)。此外，半导体层序列(2)具有粗化部(5)，其至少部分伸到转换层(4)中。 | ||
| 申请公布号 | CN102428579B | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201080021820.9 | 申请日期 | 2010.04.08 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 尼古劳斯·格迈因维泽;贝特霍尔德·哈恩 |
| 分类号 | H01L33/22(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李德山;陈炜 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片(1)，其具有半导体层序列(2)，该半导体层序列具有：‑用于产生初级辐射(P)的至少一个有源层(3)，‑多个转换层(4)，其将初级辐射(P)至少部分地吸收并且转换成相对于初级辐射(P)更长波的次级辐射(S)，以及‑粗化部(5)，其在朝着至少一个有源层(3)的方向上局部穿透转换层(4)的至少一个，并且粗化部(5)通过在半导体层序列(2)的背离所述有源层(3)的上侧中的多个沟部或槽部形成，并且所述沟部或槽部伸入到半导体层序列(2)直至转换层(4)中的至少一个的材料被部分去除，其中所述至少一个有源层(3)和转换层(4)单片地集成，使得整个半导体层序列(2)没有连接装置。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||