ＳｉＣ単結晶及びその製造方法

摘要

結晶性の高い大口径のＳｉＣ単結晶を提供する。ｃ面及び非ｃ面を有する種結晶と、前記種結晶のｃ面及び非ｃ面を基点としてｃ面方向及び非ｃ面方向に成長したｃ面成長部及び口径拡大部とを含むＳｉＣ単結晶であって、前記種結晶のｃ面に並行な平面であって前記種結晶及び前記口径拡大部を含む平面内において、貫通転位が含まれない連続領域が前記平面内の周辺部に存在し、前記連続領域の面積が前記平面全体の面積に対して５０％以上の面積を占める、ＳｉＣ単結晶。