发明名称 半导体晶片冷却装置
摘要 本发明涉及半导体晶片冷却装置,其目的在于提供一种一边抑制作为被照射物的半导体晶片的温度偏差一边进行冷却的半导体晶片冷却装置。本发明的半导体晶片冷却装置具备:托盘(1),其具有载置半导体晶片(10)的载置面;冷却管道(2),配置在托盘(1)内,流过对在载置面上载置的半导体晶片(10)进行冷却的冷却介质;以及真空管道(3),在载置面具有开口并设置在托盘(1),对在载置面上载置的半导体晶片(10)进行吸附。
申请公布号 CN104362113A 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201410488398.8 申请日期 2011.06.30
申请人 三菱电机株式会社 发明人 野口贵也
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 何立波;张天舒
主权项 一种半导体晶片冷却装置,其中,具备:托盘,其具有载置半导体晶片的载置面;冷却管道,配置在所述托盘内,流过对在所述载置面上载置的所述半导体晶片进行冷却的冷却介质;以及真空管道,在所述载置面具有开口并设置在所述托盘,对在所述载置面上载置的所述半导体晶片进行吸附,所述冷却管道是所述冷却介质在相互相反方向流过的一对冷却管道,所述冷却管道的每一个是将多个分支管道并联连接的结构,构成一方的所述冷却管道的分支管道在与所述载置面平行的面内与构成另一方的所述冷却管道的分支管道交替地配置。
地址 日本东京
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