发明名称 一种半导体钼材电镀钌方法
摘要 本发明涉及一种钼基材料电镀钌镀层工艺,包括将钼基体表面进行化学脱脂、阳极电解、除垢处理、粗化处理、祛膜处理、活化处理、闪镀镍、预镀氨镍、脉冲镀钌。本发明制得的钌镀层,结合力良好,镀层光亮致密,是一种工艺简单、成熟、质量稳定,并已形成批量生产能力,具有竞争力的镀钌工艺。其中主要工序是脉冲镀钌,脉冲镀钌液的配方为:[μ-氮-双(四氯-水合钌)]酸钾5-13g/L,氨基磺酸20g/L,PH1.3,温度46℃,平均脉冲电流密度0.7-1.1A/dm,频率为800Hz,占空比为80%,阳极面积与阴极面积之比电流S阳∶S阴>2∶1,阳极采用不溶性铂钛网。
申请公布号 CN104342731A 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201310328500.3 申请日期 2013.07.23
申请人 深圳中宇昭日科技有限公司 发明人 李兴文
分类号 C25D5/14(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;C25D3/52(2006.01)I 主分类号 C25D5/14(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 本发明涉及一种钼材电镀钌层工艺包括将钼基体表面进行脱脂除油、阴极微蚀处理、酸活化前处理,再将经处理的钼基体进行预镀镍处理,电镀镍、最后在钌溶液中电镀钌。钌镀层,结合力良好,镀层光亮致密,镀层厚度可达2‑3um。本工艺成熟,质量稳定,并已形成批量生产能力。
地址 518103 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区玻璃围新村南五巷3号101铺