| 发明名称 |
碘系偏光薄膜及其制造方法 |
| 摘要 |
有关于本发明之碘系偏光薄膜，系使碘吸附配向于高分子薄膜者，且其特征在于前述碘之含量在每2.85mm3为1.9~3重量%之范围内，且在单体穿透率43~45%之范围内波长610nm之垂直吸光度A2对于波长480nm之垂直吸光度A1之比(A2/A1)在1.16以下。 |
| 申请公布号 |
TWI470264 |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
| 申请号 |
TW098138804 |
申请日期 |
2009.11.16 |
| 申请人 |
日东电工股份有限公司 日本 |
发明人 |
亚森木尼日丁;水嶋洋明 |
| 分类号 |
G02B1/10;G02B5/30;C08F16/06;C08J5/18;C08J3/24 |
主分类号 |
G02B1/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种碘系偏光薄膜，系使碘吸附配向于高分子薄膜者，且前述碘之含量在每2.85mm3为1.9~3重量%之范围内，且在单体穿透率43~45%之范围内波长610nm之垂直吸光度A2对于波长480nm之垂直吸光度A1之比(A2/A1)在1.16以下。 |
| 地址 |
日本 |
