半导体储存记忆体结构与其制造方法;SEMICONDUCTOR MEMORY STORAGE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

摘要

本发明提出一种半导体储存记忆体结构与其制造方法。本发明之半导体储存记忆体结构的制造方法包括利用间隙壁形成技术以形成复数条字元线与复数条位元线，并利用间隙壁形成技术将二极体结构或电流选择层整合于纵横栓记忆体结构中，使二极体结构或电流选择层与记忆材料层串联。本发明之半导体储存记忆体结构的制造方法可提升记忆体密度。