| 发明名称 | 一种多晶硅制作方法 | ||
| 摘要 | 一种多晶硅制作方法，包括：S11.用固态激光器发射激光来照射非晶硅层的下表面，以对所述非晶硅层进行预热；以及S12.用准分子激光器发射激光来照射所述非晶硅层的上表面，以将所述非晶硅层晶化成多晶硅，其中所述步骤S11先于所述步骤S12一预定时间执行或同时执行。本申请不但能够大大缩短非晶硅熔化而晶化成多晶硅的时间，从而有效提高多晶硅的产量，而且，由于降低了非晶硅的熔化和晶化时的温度梯度，从而能够有效增加多晶硅的结晶率并改善多晶硅的结晶质量，另外，还可以减少昂贵的准分子激光器的发射次数，从而延长准分子激光器的使用寿命，进一步降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104282539A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201310280262.3 | 申请日期 | 2013.07.04 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 叶昱均;黄德伦;黄政仕 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;B23K26/00(2014.01)I;B23K26/06(2014.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;张龙哺 |
| 主权项 | 一种多晶硅制作方法，包括：S11.用固态激光器发射激光来照射非晶硅层的下表面，以对所述非晶硅层进行预热；以及S12.用准分子激光器发射激光来照射所述非晶硅层的上表面，以将所述非晶硅层晶化成多晶硅，其中所述步骤S11先于所述步骤S12一预定时间执行。 | ||
| 地址 | 201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 | ||