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一种半导体装置的形成方法，包含：在电浆处理腔室中的基板夹持器上提供基板，该电浆处理腔室含有微波天线、用以对该微波天线供电的微波功率源、用以对该基板夹持器施加射频(radio frequency,RF)偏压的RF偏压源、及用以对该基板夹持器施加直流(direct current,DC)偏压的DC电压源；在该电浆处理腔室中引入含CaFb气体的第一处理气体，其中a及b为正整数；藉由施加第一RF偏压及第一正DC偏压至该基板夹持器而自该第一处理气体形成第一电浆；利用该第一电浆在该基板上沉积第一氟碳化物膜；在该电浆处理腔室中引入含CaFb气体的第二处理气体，其中a及b为正整数；藉由施加微波功率至该微波天线、及施加第二RF偏压及第二正DC偏压至该基板夹持器而自该第二处理气体形成第二电浆；及利用该第二电浆在该第一氟碳化物膜上沉积第二氟碳化物膜。 |
