半导体装置及其制造方法

摘要

于元件制造工程之开始后，矽基板1之背面形成聚集层3a。之后，矽基板1之主面形成MOS构造之闸极5，并除去聚集层3a。根据上述制造方法，于形成MOS构造之闸极构造之际，矽基板1中所含之溶存氧气被捕捉至聚集层3a内，而降低矽基板1之溶存氧气浓度。如此一来，可以降低矽基板1之溶存氧气浓度而得到良好的元件特性。