| 发明名称 |
电浆增强化学气相沉积制程中电浆导致电荷累积所造成之损害的控制 |
| 摘要 |
本文提供在基材上沉积非晶碳薄膜之方法。这些方法减少或避免电浆诱导电荷对来自非晶碳薄膜沉积之基材的损害。一态样中，在非晶碳之块状层沉积前，在低RF功率位准与/或低的碳氢化合物/惰性气体流速比率的条件下，沉积非晶碳初始层。在初始层沉积之后，RF功率、碳氢化合物流速和惰性气体流速可逐渐变化至用于沉积块状层的最终数值，其中该RF功率逐渐变化速率通常系大于碳氢化合物和惰性气体的逐渐变化速率。另一态样中，最小化电浆诱导电荷损害的方法包括在一腔室中之基材上沉积非晶碳薄膜前，在一或更多腔室的内表面上沉积适应层，或者在制造过程中使用氧化层或介电层涂覆内表面。 |
| 申请公布号 |
TWI467638 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW097113077 |
申请日期 |
2008.04.10 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
李光德道格拉斯;史普勒马修;西蒙斯马丁杰;叶温蒂Ｈ. YEH, WENDY H. US;金柏涵;亚尤伯摩哈德;阿巴雅提亚弥尔;惠蒂德瑞克Ｒ;姆萨德希肯 |
| 分类号 |
H01L21/205;C23C16/513;C23C16/52 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种沉积一非晶碳薄膜的方法，其包含：将一碳氢化合物导入一腔室；使该碳氢化合物在施加至一气体分布组件的一喷头的RF源功率(RF source power)存在下反应，其中该RF源功率系于约0.01W/cm2与约2W/cm2间之一第一RF源功率位准下施加一段时间，以在该腔室中之一基材上沉积一非晶碳薄膜的一初始层，并接着将该RF源功率自该第一RF源功率位准爬升(ramp up)至一第二RF源功率位准，以在该初始层上沉积一块状(bulk)非晶碳薄膜，其中该第二RF源功率位准系大于该第一RF源功率位准。 |
| 地址 |
美国 |
