发明名称 画素结构及其制作方法
摘要 本发明提出一种画素结构的制作方法。于基板上形成薄膜电晶体并形成绝缘层,以覆盖基板以及薄膜电晶体。利用半调式光罩图案化绝缘层而形成凸起图案、与凸起图案连接之凹陷图案以及位于凹陷图案中之开口。凸起图案之厚度大于凹陷图案之厚度。开口贯穿凹陷图案而曝露出薄膜电晶体之汲极。形成透光导电层,以覆盖凸起图案、凹陷图案并填入开口。形成平坦层,以覆盖透光导电层。移除位于凸起图案上之部分平坦层、部份透光导电层以及开口中之部分平坦层,而使透光导电层形成画素电极图案。一种以上述方法所制作的画素结构亦被提出。
申请公布号 TWI467302 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW101101079 申请日期 2012.01.11
申请人 中华映管股份有限公司 桃园县杨梅市行善路80号 发明人 邱启明;李育宗;高金字
分类号 G02F1/1368 主分类号 G02F1/1368
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种画素结构的制作方法,包括:提供一基板;于该基板上形成一薄膜电晶体;于该基板上形成一绝缘层,以覆盖该基板以及该薄膜电晶体;利用一半调式光罩图案化该绝缘层,以形成一凸起图案、与该凸起图案连接之一凹陷图案以及位于该凹陷图案中之一开口,其中该凸起图案之厚度大于该凹陷图案之厚度,该开口贯穿该凹陷图案而曝露出该薄膜电晶体之一汲极;于该基板上形成一透光导电层,以覆盖该凸起图案、该凹陷图案并填入该开口;形成一平坦层,以覆盖该透光导电层;以及移除位于该凸起图案上之部分该平坦层、部份该透光导电层以及该开口中之部分平坦层,而使该透光导电层形成一画素电极图案。
地址 桃园县杨梅市行善路80号
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